casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512S11TFAV10
codice articolo del costruttore | S29GL512S11TFAV10 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL512S11TFAV10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S11TFAV10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S11TFAV10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512S11TFAV10-FT |
S29GL256N11TFI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P90TFCR23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90TFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29PL127J70TFI130
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11TFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10TFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256S10TFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128P10TFI010
Cypress Semiconductor Corp
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel