casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512S11GHI020
codice articolo del costruttore | S29GL512S11GHI020 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL512S11GHI020 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S11GHI020 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-FBGA (9x7) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S11GHI020 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512S11GHI020-FT |
AT88SC0204CA-TH
Microchip Technology
NSEC00K004-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC00K016-IT
Insignis Technology Corporation
SM28VLT32SKGD3
Texas Instruments
NSEC53K008-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC53K016-IT
Insignis Technology Corporation
THGBMHT0C8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
7005L35G
IDT, Integrated Device Technology Inc
AT28HC256F-90JU
Microchip Technology
70V3599S166DRG
IDT, Integrated Device Technology Inc
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel