casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL512S11DHI023
codice articolo del costruttore | S29GL512S11DHI023 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL512S11DHI023 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL512S11DHI023 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S11DHI023 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL512S11DHI023-FT |
S25FS256SDSNFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFN010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFN011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFN013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFV011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGNFV013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LDPNFI010
Cypress Semiconductor Corp
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel