casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL256S11DHVV20
codice articolo del costruttore | S29GL256S11DHVV20 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL256S11DHVV20 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL256S11DHVV20 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL256S11DHVV20 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL256S11DHVV20-FT |
S29CD032J0MQFI000
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQAM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQAM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQAM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQFM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQFM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J1JQFM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J1JQFM013
Cypress Semiconductor Corp