casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL256S11DHIV23
codice articolo del costruttore | S29GL256S11DHIV23 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL256S11DHIV23 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL256S11DHIV23 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL256S11DHIV23 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL256S11DHIV23-FT |
S29CD016J0PQFM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J1JQAM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J1MQAM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD032J0MQFI000
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQAM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQAM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQAM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQFM010
Cypress Semiconductor Corp
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel