casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL256S10TFB023
codice articolo del costruttore | S29GL256S10TFB023 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL256S10TFB023 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL256S10TFB023 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL256S10TFB023 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL256S10TFB023-FT |
S29GL256P90FFSS72
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P90FFSS73
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P90FFSS80
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P90FFSS83
Cypress Semiconductor Corp
S29GL256P90FFSS90
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P10FFIS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P12FFIV10
Cypress Semiconductor Corp
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel