casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL256S10DHV013
codice articolo del costruttore | S29GL256S10DHV013 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL256S10DHV013 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL256S10DHV013 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL256S10DHV013 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL256S10DHV013-FT |
S29CD016J0MQAM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQAM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQFM110
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQAM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQAM110
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0PQFM013
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J1JQAM010
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J1MQAM113
Cypress Semiconductor Corp
S29CD032J0MQFI000
Cypress Semiconductor Corp
S29CD016J0MQAM010
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel