casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL01GT11FHV010
codice articolo del costruttore | S29GL01GT11FHV010 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL01GT11FHV010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-T |
S29GL01GT11FHV010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (13x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL01GT11FHV010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL01GT11FHV010-FT |
S25FL256LAGNFB013
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFM010
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGNFV011
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSNFV011
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSNFV013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S11DHIV23
Cypress Semiconductor Corp
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel