casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29AS016J70YEI139
codice articolo del costruttore | S29AS016J70YEI139 |
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Numero di parte futuro | FT-S29AS016J70YEI139 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | AS-J |
S29AS016J70YEI139 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Wafer |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29AS016J70YEI139 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29AS016J70YEI139-FT |
S25FL128P0XNFI011M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHBB00
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHBB03
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHM200
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHM203
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHN203
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHVC00
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHVC03
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPBHB210
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPBHB213
Cypress Semiconductor Corp
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel