casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29AS016J70YEI019G
codice articolo del costruttore | S29AS016J70YEI019G |
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Numero di parte futuro | FT-S29AS016J70YEI019G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | AS-J |
S29AS016J70YEI019G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Wafer |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29AS016J70YEI019G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29AS016J70YEI019G-FT |
S25FL128P0XNFI001M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128P0XNFI003M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128P0XNFI011M
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHBB00
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHBB03
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHM200
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHM203
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHN203
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHVC00
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGBHVC03
Cypress Semiconductor Corp
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel