casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S27KS0641DPBHB020
codice articolo del costruttore | S27KS0641DPBHB020 |
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Numero di parte futuro | FT-S27KS0641DPBHB020 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS |
S27KS0641DPBHB020 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 40ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-FBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S27KS0641DPBHB020 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S27KS0641DPBHB020-FT |
S25FL128SDPNFI000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPNFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDSNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDSNFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFV000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFV001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFV003
Cypress Semiconductor Corp
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation