casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S27KL0641DABHB020
codice articolo del costruttore | S27KL0641DABHB020 |
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Numero di parte futuro | FT-S27KL0641DABHB020 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL |
S27KL0641DABHB020 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 40ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-FBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S27KL0641DABHB020 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S27KL0641DABHB020-FT |
S25FL128SAGNFI001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFI003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFI000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFI000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFB003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFI010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFB000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFI011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDSNFI000
Cypress Semiconductor Corp
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation