casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S26KS256SDABHV030
codice articolo del costruttore | S26KS256SDABHV030 |
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Numero di parte futuro | FT-S26KS256SDABHV030 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HyperFlash™ KS |
S26KS256SDABHV030 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 96ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-FBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KS256SDABHV030 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S26KS256SDABHV030-FT |
S25FL128P0XNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFI013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFM000
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFM003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV001
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV003
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV011
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SAGNFV013
Cypress Semiconductor Corp
S25FL128SDPNFI000
Cypress Semiconductor Corp
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel