casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S26KS128SDGBHI030
codice articolo del costruttore | S26KS128SDGBHI030 |
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Numero di parte futuro | FT-S26KS128SDGBHI030 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HyperFlash™ KS |
S26KS128SDGBHI030 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 96ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-FBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KS128SDGBHI030 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S26KS128SDGBHI030-FT |
CY7C1011CV33-10BAJXET
Cypress Semiconductor Corp
CY7C10212DV33-10BVXI
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CY7C10212DV33-10BVXIT
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CY7C1041CV33-10BAXA
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CY7C1041CV33-10BAXAT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1041CV33-10BAXE
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CY7C1041CV33-10BAXET
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1041CV33-12BAXET
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1051DV33-12BAXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1051DV33-12BAXIT
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