casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S26KL512SDABHN020
codice articolo del costruttore | S26KL512SDABHN020 |
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Numero di parte futuro | FT-S26KL512SDABHN020 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HyperFlash™ KL |
S26KL512SDABHN020 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 96ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-FBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KL512SDABHN020 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S26KL512SDABHN020-FT |
S70FS01GSDSBHB210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHB213
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHI210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHV210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHV213
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSMFI010
Cypress Semiconductor Corp
S79FL01GSDSBHVC13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFI001
Cypress Semiconductor Corp
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel