casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S26KL512SDABHN020
codice articolo del costruttore | S26KL512SDABHN020 |
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Numero di parte futuro | FT-S26KL512SDABHN020 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HyperFlash™ KL |
S26KL512SDABHN020 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 96ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-FBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KL512SDABHN020 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S26KL512SDABHN020-FT |
S70FS01GSDSBHB210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHB213
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHI210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHV210
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSBHV213
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSDSMFI010
Cypress Semiconductor Corp
S79FL01GSDSBHVC13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256SAGNFI001
Cypress Semiconductor Corp
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel