casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S26KL512SDABHI020
codice articolo del costruttore | S26KL512SDABHI020 |
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Numero di parte futuro | FT-S26KL512SDABHI020 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HyperFlash™ KL |
S26KL512SDABHI020 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 96ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-FBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S26KL512SDABHI020 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S26KL512SDABHI020-FT |
CY7C1011CV33-10BAJXE
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1041CV33-10BAJXE
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1041CV33-12BAXE
Cypress Semiconductor Corp
CY62177EV30LL-55BAXI
Cypress Semiconductor Corp
CY62177EV30LL-55BAXIT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1041CV33-10BAJXET
Cypress Semiconductor Corp
FM22LD16-55-BG
Cypress Semiconductor Corp
CY62187EV30LL-55BAXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1041G30-10BAJXE
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1051DV33-10BAXI
Cypress Semiconductor Corp
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel