casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S25FL129P0XNFI011M
codice articolo del costruttore | S25FL129P0XNFI011M |
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Numero di parte futuro | FT-S25FL129P0XNFI011M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FL-P |
S25FL129P0XNFI011M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5µs, 3ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25FL129P0XNFI011M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S25FL129P0XNFI011M-FT |
QMP9GL512P11TFI020
Cypress Semiconductor Corp
R1LV0816ABG-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ABG-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-0PI#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2LR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2PI#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2PR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0416DGE-2LR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0416DGE-2PI#B0
Renesas Electronics America
R1RP0416DGE-2PR#B0
Renesas Electronics America
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel