casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S25FL129P0XNFI010M
codice articolo del costruttore | S25FL129P0XNFI010M |
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Numero di parte futuro | FT-S25FL129P0XNFI010M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FL-P |
S25FL129P0XNFI010M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5µs, 3ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25FL129P0XNFI010M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S25FL129P0XNFI010M-FT |
QMP9GL512P11TFI010
Cypress Semiconductor Corp
QMP9GL512P11TFI020
Cypress Semiconductor Corp
R1LV0816ABG-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ABG-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-0PI#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2LR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2PI#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2PR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0416DGE-2LR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0416DGE-2PI#B0
Renesas Electronics America
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel