casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S25FL128SDSBHA213
codice articolo del costruttore | S25FL128SDSBHA213 |
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Numero di parte futuro | FT-S25FL128SDSBHA213 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100, FL-S |
S25FL128SDSBHA213 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frequenza di clock | 80MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-BGA (8x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25FL128SDSBHA213 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S25FL128SDSBHA213-FT |
QMP9GL01GP12FFI010
Cypress Semiconductor Corp
QMP9GL01GP12TFI010
Cypress Semiconductor Corp
QMP9GL512P11FFI010
Cypress Semiconductor Corp
QMP9GL512P11FFI020
Cypress Semiconductor Corp
QMP9GL512P11TFI010
Cypress Semiconductor Corp
QMP9GL512P11TFI020
Cypress Semiconductor Corp
R1LV0816ABG-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ABG-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-0PI#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2LR#B0
Renesas Electronics America
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel