casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / S1KW16C-2N
codice articolo del costruttore | S1KW16C-2N |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S1KW16C-2N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1KW16C-2N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 16000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 16V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 16000V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1KW16C-2N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1KW16C-2N-FT |
VS-VSKDS409/150
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS440/030
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDU162/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ166/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ236/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ236/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ236/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ56/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ56/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKJ56/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel