casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1KHE3_A/H
codice articolo del costruttore | S1KHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-S1KHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1KHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1KHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1KHE3_A/H-FT |
B350A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B350A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
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LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel