casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1JL RTG
codice articolo del costruttore | S1JL RTG |
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Numero di parte futuro | FT-S1JL RTG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1JL RTG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1JL RTG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1JL RTG-FT |
SS13L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1KL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFAL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel