casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1J-M3/5AT
codice articolo del costruttore | S1J-M3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-S1J-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1J-M3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1J-M3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1J-M3/5AT-FT |
B330LA-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B340A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B340A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B350A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B350A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B350A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B350A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel