casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1G-M3/61T
codice articolo del costruttore | S1G-M3/61T |
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Numero di parte futuro | FT-S1G-M3/61T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1G-M3/61T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1G-M3/61T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1G-M3/61T-FT |
B330LA-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B330LA-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B340A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B340A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B350A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B350A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B350A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B350A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel