casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1FLM-GS18
codice articolo del costruttore | S1FLM-GS18 |
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Numero di parte futuro | FT-S1FLM-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1FLM-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 700mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1FLM-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1FLM-GS18-FT |
SE10FD-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07G-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FJHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL04-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FD-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1F4HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FL3-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FL4-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel