casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1FLB-M-18
codice articolo del costruttore | S1FLB-M-18 |
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Numero di parte futuro | FT-S1FLB-M-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1FLB-M-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 700mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1FLB-M-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1FLB-M-18-FT |
S07G-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07M-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07M-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLB-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FGHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FL4HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES07B-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07G-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FL3-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FL4-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel