casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1D R3G
codice articolo del costruttore | S1D R3G |
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Numero di parte futuro | FT-S1D R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1D R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1D R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1D R3G-FT |
SS310LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel