codice articolo del costruttore | S1B |
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Numero di parte futuro | FT-S1B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMA (DO-214AC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1B-FT |
GB50MPS17-247
GeneSiC Semiconductor
GC15MPS12-247
GeneSiC Semiconductor
GC02MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC05MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC08MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC10MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC15MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC20MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
FFH75H60S
ON Semiconductor
FFSH2065A
ON Semiconductor
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel