codice articolo del costruttore | S16D |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S16D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S16D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 16A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S16D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S16D-FT |
MBR6060
GeneSiC Semiconductor
MBR6060R
GeneSiC Semiconductor
MBR6080
GeneSiC Semiconductor
MBR6080R
GeneSiC Semiconductor
MBR75100
GeneSiC Semiconductor
MBR75100R
GeneSiC Semiconductor
MBR7520
GeneSiC Semiconductor
MBR7520R
GeneSiC Semiconductor
MBR7530
GeneSiC Semiconductor
MBR7530R
GeneSiC Semiconductor
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel