codice articolo del costruttore | S16DR |
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Numero di parte futuro | FT-S16DR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S16DR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 16A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S16DR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S16DR-FT |
MBR6060R
GeneSiC Semiconductor
MBR6080
GeneSiC Semiconductor
MBR6080R
GeneSiC Semiconductor
MBR75100
GeneSiC Semiconductor
MBR75100R
GeneSiC Semiconductor
MBR7520
GeneSiC Semiconductor
MBR7520R
GeneSiC Semiconductor
MBR7530
GeneSiC Semiconductor
MBR7530R
GeneSiC Semiconductor
MBR7535
GeneSiC Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel