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codice articolo del costruttore | S1613B-10.0000(T) |
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Numero di parte futuro | FT-S1613B-10.0000(T) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SaRonix-eCera™ FN |
S1613B-10.0000(T) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Crystal |
Frequenza | XO (Standard) |
Funzione | 10MHz |
Produzione | Enable/Disable |
Tensione - Fornitura | LVCMOS, LVTTL |
Stabilità di frequenza | 3.3V |
Absolute Pull Range (APR) | ±50ppm |
temperatura di esercizio | - |
Corrente - Alimentazione (max) | -10°C ~ 70°C |
Giudizi | 15mA |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Dimensione / Dimensione | 4-SMD, No Lead |
Altezza - Seduto (max) | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
0.071" (1.80mm) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1613B-10.0000(T) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1613B-10.0000(T)-FT |
FN5000154
Diodes Incorporated
FN5180008
Diodes Incorporated
FN5200004
Diodes Incorporated
FN5330007
Diodes Incorporated
FN5400002
Diodes Incorporated
FN5400003
Diodes Incorporated
FN5400021
Diodes Incorporated
FN5400032
Diodes Incorporated
FN5700002
Diodes Incorporated
FN6000006
Diodes Incorporated
LCMXO2-256ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS20XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
EP4CE30F23I7N
Intel
EP4SE360F35I4
Intel
M1AGL1000V5-FG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F45I1SG
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
EP2S60F1020I4N
Intel
EP1S80F1020C7
Intel