casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S12GCHM6G
codice articolo del costruttore | S12GCHM6G |
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Numero di parte futuro | FT-S12GCHM6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S12GCHM6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 78pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S12GCHM6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S12GCHM6G-FT |
S12GC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12JC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12KC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12KCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12MC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S15GC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S15GCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S15JC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S15KC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2A R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation