casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S07D-GS18
codice articolo del costruttore | S07D-GS18 |
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Numero di parte futuro | FT-S07D-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
S07D-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 700mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S07D-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S07D-GS18-FT |
SS1FH10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07J-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07K-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL04-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL04-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL02-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES07D-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07G-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07M-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel