casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / RXT2907AT100
codice articolo del costruttore | RXT2907AT100 |
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Numero di parte futuro | FT-RXT2907AT100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RXT2907AT100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RXT2907AT100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RXT2907AT100-FT |
2SAR293PFRAT100
Rohm Semiconductor
2SAR340PT100P
Rohm Semiconductor
2SAR340PT100Q
Rohm Semiconductor
2SAR513PFRAT100
Rohm Semiconductor
2SAR514PFRAT100
Rohm Semiconductor
2SAR533PFRAT100
Rohm Semiconductor
2SAR542PFRAT100
Rohm Semiconductor
2SAR544PFRAT100
Rohm Semiconductor
2SAR552P5T100
Rohm Semiconductor
2SAR553P5T100
Rohm Semiconductor
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel