casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RWM04108R20JR15E1
codice articolo del costruttore | RWM04108R20JR15E1 |
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Numero di parte futuro | FT-RWM04108R20JR15E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RWM |
RWM04108R20JR15E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 8.2 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±75ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.217" Dia x 0.472" L (5.50mm x 12.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RWM04108R20JR15E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RWM04108R20JR15E1-FT |
RWM084547R0JB25E1
Vishay Sfernice
RWM0845R470JB25E1
Vishay Sfernice
RWM08451000JB25E1
Vishay Sfernice
RWM08451002JB25E1
Vishay Sfernice
RWM084510R0JB25E1
Vishay Sfernice
RWM08452202JB25E1
Vishay Sfernice
RWM084522R0JB25E1
Vishay Sfernice
RWM08453R30JB25E1
Vishay Sfernice
RWM06343302JS09E1
Vishay Sfernice
RWM06341000JS09E1
Vishay Sfernice
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
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5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel