casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RWM04101000JR15E1
codice articolo del costruttore | RWM04101000JR15E1 |
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Numero di parte futuro | FT-RWM04101000JR15E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RWM |
RWM04101000JR15E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±75ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.217" Dia x 0.472" L (5.50mm x 12.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RWM04101000JR15E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RWM04101000JR15E1-FT |
Y092640R0000B9L
Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precisio
Y092640R0000T0L
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Y09264R00000Q0L
Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precisio
XC6SLX150-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC3S200-4VQ100I
Xilinx Inc.
AFS1500-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-FGG484M
Microsemi Corporation
A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
XC7A15T-1CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2SG
Intel
EP2SGX60DF780C5
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP1C4F400C7N
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