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codice articolo del costruttore | RW2S0CBR200JET |
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Numero di parte futuro | FT-RW2S0CBR200JET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2S0CBR200JET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 200 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 4122 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.407" L x 0.226" W (10.34mm x 5.74mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.227" (5.77mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2S0CBR200JET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW2S0CBR200JET-FT |
RW3R5EAR050J
Ohmite
RW3R5EAR100J
Ohmite
RW3R5EAR100JT
Ohmite
RW3R5EAR200J
Ohmite
RW3R5EAR200JT
Ohmite
RW3R5EAR500J
Ohmite
RW3R0DB10R0JET
Ohmite
RW3R0DB24R0JE
Ohmite
RW3R0DB100RJET
Ohmite
RW3R0DB1R00JET
Ohmite
A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A14V15A-VQG100C
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
EP4SGX360KF40C4N
Intel
XC2VP40-5FF1148I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation