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codice articolo del costruttore | RW2S0CBR030JET |
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Numero di parte futuro | FT-RW2S0CBR030JET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2S0CBR030JET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 30 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 4122 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.407" L x 0.226" W (10.34mm x 5.74mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.227" (5.77mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2S0CBR030JET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW2S0CBR030JET-FT |
RW3R5EAR500JT
Ohmite
RW3R5EAR100JE
Ohmite
RW3R5EA1R00J
Ohmite
RW3R5EA2K20J
Ohmite
RW3R5EAR010J
Ohmite
RW3R5EAR020J
Ohmite
RW3R5EAR030JT
Ohmite
RW3R5EAR036J
Ohmite
RW3R5EAR036JT
Ohmite
RW3R5EAR050J
Ohmite
XA3S100E-4TQG144Q
Xilinx Inc.
LFEC6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFC672-2
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
M1AGL600V2-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP1S30F1020C7N
Intel