casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW2S0CBR010JT
codice articolo del costruttore | RW2S0CBR010JT |
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Numero di parte futuro | FT-RW2S0CBR010JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW2S0CBR010JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 4122 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.407" L x 0.226" W (10.34mm x 5.74mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.227" (5.77mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2S0CBR010JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW2S0CBR010JT-FT |
RW3R5EAR050JE
Ohmite
RW3R5EAR050JET
Ohmite
RW3R5EAR050JT
Ohmite
RW3R5EAR100JET
Ohmite
RW3R5EAR200JET
Ohmite
RW3R5EAR500JET
Ohmite
RW3R5EAR500JT
Ohmite
RW3R5EAR100JE
Ohmite
RW3R5EA1R00J
Ohmite
RW3R5EA2K20J
Ohmite
LFE3-17EA-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1155I
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N2F40I2LG
Intel
5CGXFC5C6M13C6N
Intel