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codice articolo del costruttore | RW1S0BAR360JET |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR360JET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR360JET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 360 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR360JET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR360JET-FT |
RW1S5CAR010J
Ohmite
RW1S5CAR010JT
Ohmite
RW1S5CAR015J
Ohmite
RW1S5CAR015JT
Ohmite
RW1S5CAR030J
Ohmite
RW1S5CAR030JT
Ohmite
RW1S5CAR040JT
Ohmite
RW1S5CAR100J
Ohmite
RW1S5CAR150J
Ohmite
RW1S5CAR150JT
Ohmite
A40MX04-2VQ80I
Microsemi Corporation
XCKU15P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
XC3S50A-4VQG100C
Xilinx Inc.
EP3C16F484C6
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
5SEEBH40I2LN
Intel
M2GL090TS-1FGG676T2
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290HF35C3
Intel