casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW1S0BAR050J
codice articolo del costruttore | RW1S0BAR050J |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR050J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR050J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 50 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR050J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR050J-FT |
RW1S5CAR040JET
Ohmite
RW1S5CAR080J
Ohmite
RW1S5CAR080JE
Ohmite
RW1S5CAR080JET
Ohmite
RW1S5CAR080JT
Ohmite
RW1S5CAR100JE
Ohmite
RW1S5CAR100JET
Ohmite
RW1S5CAR100JT
Ohmite
RW1S5CAR150JE
Ohmite
RW1S5CAR150JET
Ohmite
LCMXO2-2000HC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3PE1500-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGTMC5K3F40C1N
Intel
EP4SE530H40C4N
Intel
XC7VX415T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
XC7S6-2CSGA225C
Xilinx Inc.
5CEFA9F23I7N
Intel
10AX057K4F40E3LG
Intel
EP20K600EBC652-2
Intel