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codice articolo del costruttore | RW1S0BAR050FET |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR050FET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR050FET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 50 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR050FET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR050FET-FT |
RW1S5CAR040JE
Ohmite
RW1S5CAR040JET
Ohmite
RW1S5CAR080J
Ohmite
RW1S5CAR080JE
Ohmite
RW1S5CAR080JET
Ohmite
RW1S5CAR080JT
Ohmite
RW1S5CAR100JE
Ohmite
RW1S5CAR100JET
Ohmite
RW1S5CAR100JT
Ohmite
RW1S5CAR150JE
Ohmite
LCMXO1200E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ176M
Microsemi Corporation
M2GL010-VFG256
Microsemi Corporation
A3P250L-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFC672-3
Intel
EP4CGX75CF23I7N
Intel
XC7A50T-1CPG236I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10M04SCM153I7G
Intel