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codice articolo del costruttore | RW1S0BAR024JET |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR024JET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR024JET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 24 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR024JET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR024JET-FT |
RW2S0DA1R00JT
Ohmite
RW2S0DA24R0J
Ohmite
RW2S0DA24R0JT
Ohmite
RW2S0DA47R0J
Ohmite
RW2S0DA47R0JT
Ohmite
RW2S0DA5R00JT
Ohmite
RW2S0DA68R0J
Ohmite
RW2S0DA68R0JT
Ohmite
RW1S5CAR015JE
Ohmite
RW1S5CAR005JE
Ohmite
EX128-TQG100I
Microsemi Corporation
XC3S200A-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCVU3P-L2FFVC1517E
Xilinx Inc.
A3P600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6
Intel
5SGXEA7H3F35C2L
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-4300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation