casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW1S0BAR020F
codice articolo del costruttore | RW1S0BAR020F |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR020F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR020F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 20 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR020F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR020F-FT |
RW2S0DA150RJT
Ohmite
RW2S0DA15R0J
Ohmite
RW2S0DA15R0JT
Ohmite
RW2S0DA1R00J
Ohmite
RW2S0DA1R00JT
Ohmite
RW2S0DA24R0J
Ohmite
RW2S0DA24R0JT
Ohmite
RW2S0DA47R0J
Ohmite
RW2S0DA47R0JT
Ohmite
RW2S0DA5R00JT
Ohmite
LCMXO2-4000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
M2GL060T-1FGG676
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31I7N
Intel