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codice articolo del costruttore | RW1S0BAR015FET |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR015FET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR015FET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 15 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR015FET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR015FET-FT |
RW2S0DA10R0J
Ohmite
RW2S0DA10R0JT
Ohmite
RW2S0DA150RJT
Ohmite
RW2S0DA15R0J
Ohmite
RW2S0DA15R0JT
Ohmite
RW2S0DA1R00J
Ohmite
RW2S0DA1R00JT
Ohmite
RW2S0DA24R0J
Ohmite
RW2S0DA24R0JT
Ohmite
RW2S0DA47R0J
Ohmite
A3PN015-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-4TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
EP20K600EF672C1NGZ
Intel
EP4CE15F23C6N
Intel
5SGXMA7N2F40C1N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
XC7VX690T-2FF1930I
Xilinx Inc.
EPF10K130EQC240-1X
Intel