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codice articolo del costruttore | RW1S0BAR015FET |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BAR015FET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BAR015FET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 15 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR015FET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BAR015FET-FT |
RW2S0DA10R0J
Ohmite
RW2S0DA10R0JT
Ohmite
RW2S0DA150RJT
Ohmite
RW2S0DA15R0J
Ohmite
RW2S0DA15R0JT
Ohmite
RW2S0DA1R00J
Ohmite
RW2S0DA1R00JT
Ohmite
RW2S0DA24R0J
Ohmite
RW2S0DA24R0JT
Ohmite
RW2S0DA47R0J
Ohmite
AT6002ALV-4AC
Microchip Technology
XC4025E-4HQ304C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
Intel
EP3SE260H780C2
Intel
10AX022E4F29I3SG
Intel
5SGSED8N3F45C2L
Intel
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45E2SG
Intel