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codice articolo del costruttore | RW1S0BA1R00JET |
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Numero di parte futuro | FT-RW1S0BA1R00JET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW1S0BA1R00JET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2512 J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD J-Lead, Pedestal |
Dimensione / Dimensione | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.141" (3.58mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BA1R00JET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW1S0BA1R00JET-FT |
RW2R0DAR020JT
Ohmite
RW2R0DAR025J
Ohmite
RW2R0DAR025JT
Ohmite
RW2R0DAR030J
Ohmite
RW2R0DAR030JT
Ohmite
RW2R0DAR050F
Ohmite
RW2R0DAR050JT
Ohmite
RW2R0DAR100JT
Ohmite
RW2R0DAR470J
Ohmite
RW2R0DAR470JT
Ohmite
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R3H43I3L
Intel
XC4003E-2PC84C
Xilinx Inc.
XC7A35T-1CS324I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CPG196C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQ100
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3BG332C
Lattice Semiconductor Corporation