casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW0S6BBR100FET
codice articolo del costruttore | RW0S6BBR100FET |
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Numero di parte futuro | FT-RW0S6BBR100FET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW0S6BBR100FET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.6W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2010 (5025 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2010 |
Dimensione / Dimensione | 0.202" L x 0.100" W (5.14mm x 2.54mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.140" (3.55mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW0S6BBR100FET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW0S6BBR100FET-FT |
HVF1206T1008JE
Ohmite
HVF1206T2004FE
Ohmite
HVF1206T2503FE
Ohmite
HVF1206T5002FE
Ohmite
HVF1206T5003FE
Ohmite
HVF1206T5004FE
Ohmite
HVF1206T7502FE
Ohmite
HVF1206T7504FE
Ohmite
HVC2512T5004JET
Ohmite
HVC2512T5005JET
Ohmite
XC7K160T-1FBG676I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C6N
Intel
A42MX16-3TQG176I
Microsemi Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EP2AGX95EF35C5ES
Intel
EP1C6Q240C7
Intel
EP20K1500EFC33-2X
Intel