casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW0S6BBR010FET
codice articolo del costruttore | RW0S6BBR010FET |
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Numero di parte futuro | FT-RW0S6BBR010FET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW0S6BBR010FET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.6W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2010 (5025 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2010 |
Dimensione / Dimensione | 0.202" L x 0.100" W (5.14mm x 2.54mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.140" (3.55mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW0S6BBR010FET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW0S6BBR010FET-FT |
HVC2512T5005JET
Ohmite
HVC2512T1006JET
Ohmite
HVC2512T1004JET
Ohmite
HVC2512T1005JET
Ohmite
HVC2512Z1007JET
Ohmite
HVC2512Z5006JET
Ohmite
HVC4020V1006JET
Ohmite
HVC4020V5007JET
Ohmite
HVC4020V2505JET
Ohmite
HVC4020V5005JET
Ohmite
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC2V3000-6FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-CQ208B
Microsemi Corporation
AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
AX250-1FG484
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE360H29C2
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
LFXP6E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation