casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW0S6BBR010FET
codice articolo del costruttore | RW0S6BBR010FET |
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Numero di parte futuro | FT-RW0S6BBR010FET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW0S6BBR010FET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.6W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2010 (5025 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2010 |
Dimensione / Dimensione | 0.202" L x 0.100" W (5.14mm x 2.54mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.140" (3.55mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW0S6BBR010FET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW0S6BBR010FET-FT |
HVC2512T5005JET
Ohmite
HVC2512T1006JET
Ohmite
HVC2512T1004JET
Ohmite
HVC2512T1005JET
Ohmite
HVC2512Z1007JET
Ohmite
HVC2512Z5006JET
Ohmite
HVC4020V1006JET
Ohmite
HVC4020V5007JET
Ohmite
HVC4020V2505JET
Ohmite
HVC4020V5005JET
Ohmite
A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A14V15A-VQG100C
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
EP4SGX360KF40C4N
Intel
XC2VP40-5FF1148I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation