casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW0S6BB36R0FET
codice articolo del costruttore | RW0S6BB36R0FET |
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Numero di parte futuro | FT-RW0S6BB36R0FET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW0S6BB36R0FET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 36 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.6W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2010 (5025 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2010 |
Dimensione / Dimensione | 0.202" L x 0.100" W (5.14mm x 2.54mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.140" (3.55mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW0S6BB36R0FET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW0S6BB36R0FET-FT |
HVF1206T5004FE
Ohmite
HVF1206T7502FE
Ohmite
HVF1206T7504FE
Ohmite
HVC2512T5004JET
Ohmite
HVC2512T5005JET
Ohmite
HVC2512T1006JET
Ohmite
HVC2512T1004JET
Ohmite
HVC2512T1005JET
Ohmite
HVC2512Z1007JET
Ohmite
HVC2512Z5006JET
Ohmite
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EP4S40G2F40I3N
Intel
LFE2-12E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel