casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RW0S6BB2R00FET
codice articolo del costruttore | RW0S6BB2R00FET |
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Numero di parte futuro | FT-RW0S6BB2R00FET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW0S6BB2R00FET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 2 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.6W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2010 (5025 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2010 |
Dimensione / Dimensione | 0.202" L x 0.100" W (5.14mm x 2.54mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.140" (3.55mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW0S6BB2R00FET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW0S6BB2R00FET-FT |
HVF1206T5003FE
Ohmite
HVF1206T5004FE
Ohmite
HVF1206T7502FE
Ohmite
HVF1206T7504FE
Ohmite
HVC2512T5004JET
Ohmite
HVC2512T5005JET
Ohmite
HVC2512T1006JET
Ohmite
HVC2512T1004JET
Ohmite
HVC2512T1005JET
Ohmite
HVC2512Z1007JET
Ohmite
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-L1FFG484C
Xilinx Inc.
A3PN060-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SBC600-1X
Intel
EPF10K130EFI484-2
Intel
EP4SE820H40I3N
Intel
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E1SG
Intel
EP20K1500EBC652-2X
Intel